鎢鈦（WTi）薄膜在半導(dǎo)體和光伏電池行業(yè)中可用作Al和Si之間有效的擴(kuò)散阻擋層，其主要通過(guò)物理氣相沉積（PVD）技術(shù)、通過(guò)磁控濺射WTi合金靶材而獲得。 在半導(dǎo)體工業(yè)中，鎢薄膜主要用作構(gòu)成電子部件的材料，例如柵電極或布線材料。這些電子部件的集成度、可靠性、功能特性和處理速度等要求日益增加。 鎢硅靶材通過(guò)物理氣相沉積技術(shù)（PVD）制備得到鎢硅薄膜，應(yīng)用在半導(dǎo)體、特別是存儲(chǔ)器，如DRAM中，充當(dāng)有效的柵極奧姆接觸層
應(yīng)用領(lǐng)域：半導(dǎo)體及電子技術(shù)? 電光源? 航空航天及汽車(chē)工業(yè)
行業(yè)中希望獲取高性能的WTi合金靶材，即濺射過(guò)程中產(chǎn)生的顆粒數(shù)少、得到的薄膜均一性高幷且具有優(yōu)良電性能的靶材。為了滿足復(fù)雜集成電路擴(kuò)散阻擋層可靠性的要求，虹鷺的WTi合金靶材具有高純度和高密度的特性。
虹鷺生產(chǎn)的鎢靶密度高，組織均勻，濺射的鎢薄膜具有低電阻、高耐熱等特性，廣泛用于半導(dǎo)體電子部件中，幷且很好的滿足了行業(yè)需求。
半導(dǎo)體領(lǐng)域用的鎢硅靶材在純度、組織結(jié)構(gòu)控制以及靶材組件整體質(zhì)量一致性等方面具有十分嚴(yán)格的要求，其對(duì)薄膜的性能起著至關(guān)重要的影響。
產(chǎn)品形態(tài)：
鎢 / 鎢鈦 / 鎢硅靶材，形狀可定制
純度：鎢（上至5N）/? 鎢鈦（上至4N5）/ 鎢硅（上至4N5）
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